- 资讯公开站Digitimes
晶圆代工2.0营收创纪录，增长扩展至台积电以外
Foundry 2.0 revenue hits record as growth spreads beyond TSMC
2026年第二季度全球晶圆代工2.0市场营收达966亿美元创纪录，同比增长25%、环比增长11%，数据中心相关半导体需求从先进制程扩展至网络、电源管理和成熟制程。
- 资讯公开站Digitimes
三星晶圆代工2纳米良率逼近60%，转向能效以争取客户
Samsung Foundry nears 60% 2nm yield, shifts focus to power efficiency to win customers
据报道，三星电子晶圆代工业务已将其2纳米SF2工艺良率提升至近60%，目前正将工程重点转向能效及其他成熟度验证。此举是其争取先进制程大客户的更广泛努力的一部分。
- 资讯公开站EE Times
华为 Tau 定律进入商用阶段
Huawei’s Tau Law Takes Commercial Form
摘要显示，EE Times报道华为Kirin 9050 Pro芯片基于Tau（τ）缩放定律，标志着芯片架构的重大转变，旨在绕过EUV光刻限制。报道称这是Tau定律的商用形式，但未提供具体技术细节或性能数据。
意义：若Tau定律确能绕过EUV限制，将影响先进制程竞争格局，为无法获取EUV设备的厂商提供新路径。
- 资讯公开站Semiconductor Engineering
预测先进BEOL互连叠层的热导率（北京大学）
Predicting Thermal Conductivity in Advanced BEOL Interconnect Stacks (Peking University)
摘要显示，北京大学研究人员发表技术论文，提出一种结构感知的热导率建模框架，用于先进技术节点中BEOL互连堆叠的热导率预测。该框架基于大量逐层热测量数据构建，旨在应对BEOL结构日益复杂带来的建模挑战。
意义：BEOL热管理是先进制程性能与可靠性的关键瓶颈，该框架为芯片热仿真与设计提供可参考的建模方法。
- 主题公开站Google News · TSMC
TSMC的危机与挑战：人才短缺、技术瓶颈与竞争
摘要显示，该文围绕台积电能否持续保持领先地位展开讨论，重点涉及人才短缺、技术瓶颈以及地缘政治与竞争风险，并分析其可能的应对策略，进而引发对半导体产业未来格局的思考。
意义：台积电是全球先进制程核心，其人才、技术与地缘风险直接影响AI芯片供应与产业链稳定。
- 资讯公开站EE Times
英特尔将High-NA EUV投入量产，但拼接技术仍待验证
Intel Puts High-NA EUV into Production, but Stitching Still Has Something to Prove
摘要显示，Intel已在Panther Lake芯片制造中验证High-NA EUV光刻技术，并投入量产。但报道指出，电气拼接（electrical stitching）和更大掩模版仍是后续需要克服的障碍。
意义：High-NA EUV量产落地将影响先进制程演进，拼接与掩模技术是后续良率与扩展关键。
- 资讯公开站Semiconductor Engineering
芯片行业一周回顾
Chip Industry Week In Review
摘要显示，本期芯片行业周报涵盖多项动态：一笔重大内存交易、AI基础设施峰会新闻、美国芯片产能计划、2nm及以下制程进展、华为的芯片攻势、面向数据中心和AI SoC的RoT解决方案、中国设备制造商份额提升、印度芯片建设、麦肯锡技术趋势、重大融资轮次以及欧洲AI基础设施缺口。
意义：快速了解全球芯片行业关键动向，涵盖内存、先进制程、AI基础设施及地缘竞争，有助于开发者把握供应链与技术趋势。
- 资讯公开站Semiconductor Engineering
超越微缩：材料创新在半导体制造中日益重要的角色
Beyond Scaling: The Growing Role Of Materials Innovation In Semiconductor Manufacturing
摘要显示，半导体制造正从单纯依赖工艺微缩转向材料创新驱动，计算能力的扩展与更深入的协同开发正在改变材料从实验室走向晶圆厂的方式。文章强调材料创新在先进制程中的关键作用，并指出跨环节协作对加速材料商业化的重要性。
意义：对开发者而言，材料创新正成为延续芯片性能提升的关键路径，理解材料-工艺协同将影响未来AI芯片的设计与制造策略。
- 资讯公开站Semiconductor Engineering
虚拟制造结合应力物理：解决GAA沟道不均匀性
Virtual Fabrication Meets Stress Physics: Solving GAA Channel Non-Uniformity
摘要显示，在环绕栅极（GAA）器件中，堆叠纳米片之间即使存在微小失衡，也会以难以仅从几何结构预测的方式扭曲器件行为。该文提出将虚拟制造与应力物理相结合的方法，以应对GAA沟道非均匀性挑战。
意义：GAA是先进制程关键结构，非均匀性影响器件性能与良率，虚拟制造结合应力物理为工艺优化提供新思路。
- 主题公开站Google News · 先进制程
中国半导体先进制程的突围之路：挑战、进展与可能路径
摘要显示，该分析聚焦中国半导体先进制程的差距与突破，提及中芯国际N+1/N+2工艺及华为堆叠技术等方向，回应读者对国产芯片的关切与期待。
意义：帮助开发者了解国产先进制程与封装堆叠路线进展，评估AI芯片供应链自主化趋势。
