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  • 资讯公开站Semiconductor Engineering

    虚拟制造结合应力物理:解决GAA沟道不均匀性

    Virtual Fabrication Meets Stress Physics: Solving GAA Channel Non-Uniformity

    摘要显示,在环绕栅极(GAA)器件中,堆叠纳米片之间即使存在微小失衡,也会以难以仅从几何结构预测的方式扭曲器件行为。该文提出将虚拟制造与应力物理相结合的方法,以应对GAA沟道非均匀性挑战。

    意义:GAA是先进制程关键结构,非均匀性影响器件性能与良率,虚拟制造结合应力物理为工艺优化提供新思路。

    GAA 虚拟制造 应力物理 半导体工艺