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CVD生长1H MoS2双层中堆叠诱导的直接带隙
Stacking-induced direct band gap in CVD-grown 1H MoS2 bilayers
该 Nature 论文报道在 CVD 生长的 1H 相 MoS2 双层中观察到由堆叠方式诱导的直接带隙。摘要显示，研究通过化学气相沉积制备双层样品，并对其能带结构进行表征，发现特定堆叠构型可使双层 MoS2 由间接带隙转变为直接带隙。该结果对理解二维材料层间耦合与能带调控具有参考价值。
意义：为二维半导体能带工程提供新路径，有望推动基于 MoS2 的低功耗光电器件与晶体管设计。
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晶圆级亚5纳米沟道单层MoS2晶体管（CMU、UF、MIT等）
Wafer-Scale Sub-5nm Channel Monolayer MoS2 Transistors (CMU, UF, MIT et al.)
摘要显示，卡内基梅隆大学、佛罗里达大学、麻省理工学院、德克萨斯A&M大学等机构联合发表论文，报道了物理沟道长度低于5纳米的单层二硫化钼（MoS₂）晶体管，其亚阈值摆幅达到88 mV/dec，性能超越硅基极限。该工作实现了晶圆级制备，有望推动二维材料在先进逻辑器件中的应用。
意义：亚5纳米二维晶体管在晶圆级实现，为超越硅基极限的下一代低功耗逻辑器件提供了可行路径。