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CVD生长1H MoS2双层中堆叠诱导的直接带隙
Stacking-induced direct band gap in CVD-grown 1H MoS2 bilayers
该 Nature 论文报道在 CVD 生长的 1H 相 MoS2 双层中观察到由堆叠方式诱导的直接带隙。摘要显示，研究通过化学气相沉积制备双层样品，并对其能带结构进行表征，发现特定堆叠构型可使双层 MoS2 由间接带隙转变为直接带隙。该结果对理解二维材料层间耦合与能带调控具有参考价值。
意义：为二维半导体能带工程提供新路径，有望推动基于 MoS2 的低功耗光电器件与晶体管设计。