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AgTaO3的分子束外延
Molecular Beam Epitaxy of AgTaO3
摘要显示，研究者首次采用分子束外延（MBE）在(001)和(111)取向SrTiO3衬底上，通过银原子与TaO2层顺序沉积并在臭氧/氧气（80% O3 + 20% O2）气氛下生长出单晶AgTaO3薄膜。X射线衍射与倒易空间映射表明薄膜与衬底共格应变、摇摆曲线锐利；HAADF-STEM证实(001)取向薄膜缺陷低，而(111)取向薄膜在约10 nm后出现富Ta表面区。
意义：为银基钽酸盐薄膜提供可外延生长平台，便于研究应变工程与界面新物性，对氧化物电子学与量子材料器件探索有参考价值。
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抑制表面介导退化以增强SiGeSn热稳定性
Enhanced thermal stability of SiGeSn by suppressing surface-mediated degradation
摘要显示，研究利用原位光谱椭偏仪在550°C等温退火下研究Si0.08Ge0.83Sn0.04合金的热稳定性。未覆盖薄膜50分钟后发生相分离，伴随空洞形成、厚度减少60%及E2临界点400 meV蓝移，与表面偏析导致替代位Sn耗尽一致；而覆盖超薄氧化层的薄膜成分变化小于1 at.% Sn、光学偏移小于20 meV，且接触电阻率降低25倍。结果表明表面Sn输运是主要退化路径，氧化层覆盖可扩展亚稳IV族合金的热稳定窗口。
意义：为硅基红外光子学中SiGeSn器件的后处理热预算提供实用解决方案，有助于推动亚稳IV族合金的集成。