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抑制表面介导退化以增强SiGeSn热稳定性
Enhanced thermal stability of SiGeSn by suppressing surface-mediated degradation
摘要显示，研究利用原位光谱椭偏仪在550°C等温退火下研究Si0.08Ge0.83Sn0.04合金的热稳定性。未覆盖薄膜50分钟后发生相分离，伴随空洞形成、厚度减少60%及E2临界点400 meV蓝移，与表面偏析导致替代位Sn耗尽一致；而覆盖超薄氧化层的薄膜成分变化小于1 at.% Sn、光学偏移小于20 meV，且接触电阻率降低25倍。结果表明表面Sn输运是主要退化路径，氧化层覆盖可扩展亚稳IV族合金的热稳定窗口。
意义：为硅基红外光子学中SiGeSn器件的后处理热预算提供实用解决方案，有助于推动亚稳IV族合金的集成。