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高迁移率p型硼碳氮化物的晶圆级外延生长
Wafer-scale epitaxy growth of high-mobility p-type boron carbon nitride
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苹果A20 Pro弃用PoP内存封装，转向WMCM
Apple A20 Pro ditches PoP memory packaging for WMCM
拆解分析显示，苹果A20 Pro芯片已放弃传统堆叠封装（PoP），改用晶圆级多芯片模块（WMCM），内存与处理器裸片并排布局，有望提升封装良率和散热性能。
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芯片产业技术论文汇总：9月29日
Chip Industry Technical Paper Roundup: Sept. 29
涵盖A7 CFET与A10 NSFET对比、晶圆级亚5nm MoS₂晶体管、3D HI多千瓦供电、铜微结构与TSV残余应力、GPU Rowhammer攻击、门级RTL木马定位、LLM推理中HBM与主机内存并发访问等。
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Gimlet Cloud 与 Cerebras 合作加速推理
Gimlet cloud and Cerebras to accelerate inference
Gimlet Labs 与 Cerebras Systems 达成合作，将 Cerebras 晶圆级计算与 Gimlet Cloud 结合，以大规模提供超高速 AI 推理服务。
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晶圆级亚5纳米沟道单层MoS2晶体管（CMU、UF、MIT等）
Wafer-Scale Sub-5nm Channel Monolayer MoS2 Transistors (CMU, UF, MIT et al.)
摘要显示，卡内基梅隆大学、佛罗里达大学、麻省理工学院、德克萨斯A&M大学等机构联合发表论文，报道了物理沟道长度低于5纳米的单层二硫化钼（MoS₂）晶体管，其亚阈值摆幅达到88 mV/dec，性能超越硅基极限。该工作实现了晶圆级制备，有望推动二维材料在先进逻辑器件中的应用。
意义：亚5纳米二维晶体管在晶圆级实现，为超越硅基极限的下一代低功耗逻辑器件提供了可行路径。
- 资讯公开站Semiconductor Engineering
负膨胀材料抵抗翘曲
Negative Expansion Materials Resist Warpage
摘要显示，半导体工程领域正在关注利用负膨胀材料来抵抗封装翘曲。文章指出，模塑化合物和底部填充胶（underfill）可以通过负膨胀特性改善热稳定性，从而减少因热膨胀系数不匹配导致的晶圆级或芯片级封装变形问题。
意义：封装翘曲是先进封装良率的关键瓶颈，负膨胀材料为热管理提供新思路，值得器件与封装工程师关注。
