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常关型p-GaN HEMT的预测性TCAD建模：动态导通电阻、漏电、击穿及机器学习辅助设计探索
Predictive TCAD Modeling of Normally-Off p-GaN HEMTs for Dynamic RDS(on), Leakage, Breakdown, and ML-Based Design Exploration
摘要显示，该工作提出一套常关型p-GaN HEMT的预测性仿真工作流，重点涵盖器件物理校准、漏电建模、动态导通电阻（RDS(on)）与击穿行为，并引入机器学习辅助的设计探索。原文未披露具体器件数据、模型精度或实验验证结果。
意义：为功率GaN器件的TCAD仿真与ML辅助设计提供可参考的方法框架，有助于缩短器件开发迭代周期。