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晶圆级亚5纳米沟道单层MoS2晶体管（CMU、UF、MIT等）
Wafer-Scale Sub-5nm Channel Monolayer MoS2 Transistors (CMU, UF, MIT et al.)
摘要显示，卡内基梅隆大学、佛罗里达大学、麻省理工学院、德克萨斯A&M大学等机构联合发表论文，报道了物理沟道长度低于5纳米的单层二硫化钼（MoS₂）晶体管，其亚阈值摆幅达到88 mV/dec，性能超越硅基极限。该工作实现了晶圆级制备，有望推动二维材料在先进逻辑器件中的应用。
意义：亚5纳米二维晶体管在晶圆级实现，为超越硅基极限的下一代低功耗逻辑器件提供了可行路径。