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长鑫存储52亿美元扩建深化中国国产DRAM设备推进
CXMT's US$5.2 billion buildout deepens China's push for domestic DRAM equipment
中国最大DRAM制造商长鑫存储(CXMT)正加速349亿元人民币(52亿美元)扩建,瞄准芯片制造设备、内部测试和更紧密的存储供应链控制。
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长鑫存储扩产契合兆易创新DRAM需求,强化中国存储供应链
CXMT expansion meets surging GigaDevice DRAM demand, sharpening China's memory supply-chain buildout
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中国3D DRAM攻关:从实验室到晶圆厂及未来路径
Inside China's 3D DRAM push: from lab to fab, and the road ahead
中国3D DRAM研发正从早期研究转向晶圆工艺与设备,参与方包括中科院微电子所、北京超弦存储器研究院、长鑫存储及设备厂商。
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长鑫存储将投资 52 亿美元用于研发和测试,DRAM 供应持续紧张
CXMT to spend US$5.2 billion on R&D and testing as DRAM supply stays tight
中国长鑫存储(CXMT)计划投资 349 亿元人民币(约 52 亿美元)用于技术研发和增加后端 DRAM 测试产能,以在内存供应紧张和价格走强之际扩大投资。
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中国DRAM厂商CXMT有意进军NAND闪存
China’s DRAM Specialist CXMT Eyes NAND Flash Entry
摘要显示,中国DRAM专业厂商长鑫存储(CXMT)正考虑进入NAND闪存领域,与长江存储(YMTC)互相拓展对方的主场,以把握AI驱动的存储芯片短缺机遇。此举若成真,将改变中国存储产业双雄的竞争格局。
意义:若CXMT进军NAND,将加剧存储芯片竞争,影响AI服务器供应链与国产替代进程。