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A7 CFET与A10纳米片FET对比：从寄生效应到芯片可靠性（TUM、UNIMORE、应用材料）
Comparing A7 CFET and A10 Nanosheet FETs From Parasitics to Chip Reliability (TUM, UNIMORE, Applied Materials)
摘要显示，来自慕尼黑工业大学、摩德纳与雷焦艾米利亚大学及应用材料的研究人员发表技术论文，提出一种基于物理的热感知与老化感知的系统-技术协同评估流程，用于比较A7 CFET与A10纳米片FET技术，评估范围从单元寄生RC到芯片可靠性。
意义：为先进节点CFET与纳米片FET的选型提供从寄生到可靠性的系统级评估方法，有助于芯片设计者权衡工艺与可靠性。