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三星调整DRAM路线图，优先推进B1b混合键合用于D0a、HBM5
Samsung reshuffles DRAM roadmap, prioritizing B1b hybrid bonding for D0a, HBM5
三星电子正在调整其下一代动态随机存取存储器（DRAM）路线图，将B1b晶圆对晶圆（W2W）混合键合技术从特定项目开发提升为D0a的核心技术，D0a是三星首个sub-10nm DRAM世代。业界观察人士认为，三星提前推动B1b DRAM商业化，也可能惠及其下一代高带宽内存（HBM）产品，包括HBM5。