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可视化Floquet-Chern绝缘体中的贝里曲率
Visualizing Berry curvature in a Floquet-Chern insulator
摘要显示，研究者利用圆二色性时间与角分辨光电子能谱（Tr-ARPES），在Bi₂Se₃表面映射了圆偏振中红外泵浦光诱导的Floquet-Bloch态贝里曲率。通过对比相反螺旋度泵浦的光谱，分离出几何响应，并观察到Floquet能隙处符号交替的贝里曲率特征，其间距由泵浦光子能量决定，且随泵浦场强重新分布，与周期性驱动狄拉克哈密顿量计算一致。诱导贝里曲率与Floquet狄拉克能隙的衰减快于复制品强度。
意义：为光诱导拓扑态和Floquet能带形成提供了动量分辨的直接探测手段，对拓扑量子计算与超快光控电子学有参考价值。