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今日 125 条 · 论文 15 · 资讯 110 查看今日归档

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数据源:本地 Harness 库 · 搜索「热管理」共 6 条

  • 资讯公开站Ars Technica

    美国在电动车充电速度上落后,中国已实现 5 分钟内充至 70%

    US being left behind in EV charging speeds as China goes sub-5 min to 70%

    摘要显示,一款新型磷酸铁锂(LFP)电池在65˚C条件下仅用4.5分钟即可从10%充至70%,使中国在电动车充电速度上进一步领先,美国则被认为正在被甩在后面。报道将这一充电倍率与温度数据作为核心指标,但未在摘要中披露电池厂商、车型或量产时间等细节。

    意义:超快充若落地,将压缩充电等待时间并改变电池热管理与充电桩功率设计的技术路线,对电动车与储能开发者有直接参考价值。

  • 资讯公开站Semiconductor Engineering

    芯片行业技术论文汇总:9月22日

    Chip Industry Technical Paper Roundup: Sept. 22

    摘要显示,本期芯片行业技术论文汇总涵盖多个方向:面向2.5D/3D IC的AI热建模、chiplet与AI加速器协同设计、BEOL热导率、基于智能体的DRC修复、面向密集布线的强化学习、面向数字EDA的LLM编排,以及用于神经形态计算的chiplet互连。内容以论文标题式列举为主,未提供具体数据或结论。

    意义:反映AI正加速渗透芯片热管理、物理验证、布线及EDA流程编排等关键环节,为开发者指明先进封装与AI辅助设计的技术趋势。

  • 资讯公开站Electrek

    吉利以 2.2MW 充电器超越比亚迪,电动车 4 分钟充满

    Geely one-ups BYD with 2.2MW charger, allowing 4-minute EV charges

    摘要显示,吉利计划于周三发布先进的电动汽车电池与充电系统,支持4分钟充电,充电速度比中国竞争对手比亚迪最新的“闪充2.0”系统快约50%,充电功率达2.2MW。此举标志着中国车企在超快充技术上的竞争进一步升级。

    意义:超快充功率竞赛加速,将推动高倍率电池、热管理与充电基础设施技术迭代,开发者需关注相关BMS与功率器件机会。

  • 资讯公开站Semiconductor Engineering

    预测先进BEOL互连叠层的热导率(北京大学)

    Predicting Thermal Conductivity in Advanced BEOL Interconnect Stacks (Peking University)

    摘要显示,北京大学研究人员发表技术论文,提出一种结构感知的热导率建模框架,用于先进技术节点中BEOL互连堆叠的热导率预测。该框架基于大量逐层热测量数据构建,旨在应对BEOL结构日益复杂带来的建模挑战。

    意义:BEOL热管理是先进制程性能与可靠性的关键瓶颈,该框架为芯片热仿真与设计提供可参考的建模方法。

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  • 资讯公开站Semiconductor Engineering

    开放基准评估2.5D和3D IC的AI热模型(UTS、慕尼黑工大、上海科大)

    Open Benchmark Evaluates AI Thermal Models for 2.5D and 3D ICs (UTS, TU Munich, ShanghaiTech)

    摘要显示,悉尼科技大学、上海科技大学和慕尼黑工业大学的研究人员联合发表了一篇题为“IC-ThermBench: An Open, Progressive Benchmark for Generalizable 2.5D/3D-IC Thermal Learning”的技术论文。该基准结合了已有的3D-IC稳态、瞬态及工业封装任务,并新增了一个包含50,000个样本的2.5D chiplet数据集,旨在评估AI热模型的泛化能力。

    意义:为AI驱动的2.5D/3D IC热分析提供标准化评估平台,有助于推动热建模方法的可复现性与泛化能力比较。

  • 资讯公开站Semiconductor Engineering

    负膨胀材料抵抗翘曲

    Negative Expansion Materials Resist Warpage

    摘要显示,半导体工程领域正在关注利用负膨胀材料来抵抗封装翘曲。文章指出,模塑化合物和底部填充胶(underfill)可以通过负膨胀特性改善热稳定性,从而减少因热膨胀系数不匹配导致的晶圆级或芯片级封装变形问题。

    意义:封装翘曲是先进封装良率的关键瓶颈,负膨胀材料为热管理提供新思路,值得器件与封装工程师关注。